Thin-film transistor having three-dimensional structure, and method for manufacturing same

WO2013118706 Art A1 15. August 2013

Anmelder: Osaka University 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013118706
Aktenzeichen: EP13746348
Anmeldetag: 5. Februar 2013
Veröffentlichung: 15. August 2013
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/786H01L21/3065H01L21/336

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Osaka University
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Osaka University

Staatliche Universität in Osaka, Japan, eine der führenden Forschungsuniversitäten des Landes mit Schwerpunkten in Naturwissenschaften, Medizin und Ingenieurwesen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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