Method of manufacturing electron-source structure for nanocrystalline silicon electron-emitter array
WO2013118872
Art A1
15. August 2013
Anmelder: Tohoku University 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2013118872
- Aktenzeichen
- EP13746580
- Anmeldetag
- 8. Februar 2013
- Veröffentlichung
- 15. August 2013
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01J1/312H01J9/02
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Tohoku University
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Tohoku University
Staatliche Universität in Sendai, Japan, mit Forschungsschwerpunkten unter anderem in Materialwissenschaften und Werkstofftechnik.
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