Tunnel field-effect transistor and manufacturing method therefor

WO2013120344 Art A1 22. August 2013

Anmelder: Tsinghua University 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013120344
Aktenzeichen: EP12868437
Anmeldetag: 21. August 2012
Veröffentlichung: 22. August 2013
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/06H01L29/10H01L29/78H01L21/336

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Tsinghua University
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Tsinghua University

Chinesische Universität mit Sitz in Peking, eine der führenden Forschungshochschulen des Landes. Aktiv in Ingenieurwissenschaften, Informatik, Materialwissenschaften und Naturwissenschaften sowie in zahlreichen technischen Anwendungsfeldern.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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