Wide band gap semiconductor device

WO2013121532 Art A1 22. August 2013

Anmelder: Fuji Electric Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013121532
Aktenzeichen: EP12868669
Anmeldetag: 15. Februar 2012
Veröffentlichung: 22. August 2013
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/47H01L29/872

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Fuji Electric Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Fuji Electric

Japanischer Elektrotechnikkonzern mit Sitz in Tokio, tätig in den Bereichen Leistungshalbleiter, Energieerzeugungsanlagen und industrielle Automatisierungstechnik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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