Graphene field-effect transistor and graphene semiconductor member

WO2013121954 Art A1 22. August 2013

Anmelder: Tohoku University 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013121954
Aktenzeichen: EP13749903
Anmeldetag: 6. Februar 2013
Veröffentlichung: 22. August 2013
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/338C01B31/02H01L29/778H01L29/812

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Tohoku University
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Tohoku University

Staatliche Universität in Sendai, Japan, mit Forschungsschwerpunkten unter anderem in Materialwissenschaften und Werkstofftechnik.

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Fachgebiete

Anorganische Chemie & Werkstoffe Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von

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