Oxide semiconductor and semiconductor junction element including same

WO2013122084 Art A1 22. August 2013

Anmelder: Sharp Kabushiki Kaisha 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013122084
Aktenzeichen: EP13749156
Anmeldetag: 13. Februar 2013
Veröffentlichung: 22. August 2013
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/24C23C14/08H01L21/363H01L29/786H01L29/861H01L29/868H01L31/10

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Sharp Kabushiki Kaisha
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sharp

Japanischer Elektronikkonzern mit Sitz in Sakai bei Osaka, seit 2016 mehrheitlich zu Foxconn gehörend. Aktiv in Displaytechnik (LCD, OLED), Unterhaltungselektronik, Haushaltsgeräten sowie Halbleiter- und Solartechnologie.

22.803 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von