Methods of providing thin layers of crystalline semiconductor material, and related structures and devices

WO2013124719 Art A1 29. August 2013

Anmelder: Soitec 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013124719
Aktenzeichen: EP13710539
Anmeldetag: 1. Februar 2013
Veröffentlichung: 29. August 2013
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/306H01L21/3213H01L21/762

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Soitec
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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