Spin electronic memory and spin electronic circuit

WO2013125101 Art A1 29. August 2013

Anmelder: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013125101
Aktenzeichen: EP12869167
Anmeldetag: 2. November 2012
Veröffentlichung: 29. August 2013
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/8246H01L27/105H01L29/82

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 National Institute of Advanced Industrial Science and Technology

Staatliches japanisches Forschungsinstitut (AIST), das breit angelegte angewandte Forschung in Bereichen wie Materialwissenschaft, Energie, Elektronik und Biotechnologie betreibt.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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