Method for calculating height position of silicon melt surface, method for drawing up monocrystalline silicon and device for drawing up monocrystalline silicon

WO2013125157 Art A1 29. August 2013

Anmelder: Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
WO2013125157
Aktenzeichen
EP13752311
Anmeldetag
22. Januar 2013
Veröffentlichung
29. August 2013
Rechtsraum
WO
IPC
C30B29/06C30B15/26
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
Shin-Etsu Handotai Co., Ltd.
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 Shin-Etsu Handotai

Japanisches Unternehmen der Shin-Etsu-Gruppe, das Siliziumwafer für die Halbleiterindustrie herstellt.

1.022 Patente in unserer Datenbank

Vertreten von

Kein Vertreter erfasst.

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen