Impurity diffusion layer forming composition, method of manufacturing semiconductor substrate having impurity diffusion layer, and method of manufacturing solar cell element

WO2013125252 Art A1 29. August 2013

Anmelder: Hitachi Chemical Company, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013125252
Aktenzeichen: EP13751738
Anmeldetag: 10. Januar 2013
Veröffentlichung: 29. August 2013
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/225H01L31/04

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Hitachi Chemical Company, Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Hitachi Chemical

Ehemaliges japanisches Chemieunternehmen, das Materialien für Halbleiter, Batterien und Verbundwerkstoffe herstellte. Ging nach mehreren Umfirmierungen im Konzern Resonac auf.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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