Impurity-diffusion-layer-forming composition, method for manufacturing semiconductor substrate with impurity-diffusion layer, and method for manufacturing solar cell element

WO2013125254 Art A1 29. August 2013

Anmelder: Hitachi Chemical Company, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013125254
Aktenzeichen: EP13751444
Anmeldetag: 10. Januar 2013
Veröffentlichung: 29. August 2013
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/225H01L31/04

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Hitachi Chemical Company, Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Hitachi Chemical

Ehemaliges japanisches Chemieunternehmen, das Materialien für Halbleiter, Batterien und Verbundwerkstoffe herstellte. Ging nach mehreren Umfirmierungen im Konzern Resonac auf.

2.257 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von