Light-emitting device, epitaxial wafer, and method for producing same

WO2013125309 Art A1 29. August 2013

Anmelder: Sumitomo Electric Industries, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013125309
Aktenzeichen: EP13752474
Anmeldetag: 30. Januar 2013
Veröffentlichung: 29. August 2013
Rechtsraum: WO
IPC: H01L33/30C23C16/22H01L21/205H01L33/22

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Sumitomo Electric Industries, Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sumitomo Electric Industries

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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