Semiconductor device and method for manufacturing same

WO2013125696 Art A1 29. August 2013

Anmelder: Rohm Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013125696
Aktenzeichen: EP13752167
Anmeldetag: 22. Februar 2013
Veröffentlichung: 29. August 2013
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/78H01L21/28H01L21/283H01L21/336H01L21/8238H01L27/092H01L29/12H01L29/423H01L29/49

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Rohm Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Rohm

Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kyoto, spezialisiert auf integrierte Schaltkreise, diskrete Halbleiterbauelemente und Leistungshalbleiter (unter anderem Siliziumkarbid-Bauteile).

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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