Charged particle beam device and charged particle beam irradiation method

WO2013129196 Art A1 6. September 2013

Anmelder: Hitachi High-Technologies Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013129196
Aktenzeichen: EP13755491
Anmeldetag: 20. Februar 2013
Veröffentlichung: 6. September 2013
Rechtsraum: WO
IPC: H01J37/18

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Hitachi High-Technologies Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Hitachi High-Tech Corporation

Japanisches Unternehmen der Hitachi-Gruppe, spezialisiert auf Analysegeräte, medizinische Diagnostik und Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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