Photoresist composition, resist pattern formation method, compound, acid generator, and photodegradable base
WO2013129266
Art A1
6. September 2013
Anmelder: JSR Corporation 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2013129266
- Aktenzeichen
- EP13755056
- Anmeldetag
- 22. Februar 2013
- Veröffentlichung
- 6. September 2013
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- G03F7/004C07D317/70G03F7/039
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- JSR Corporation
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
JSR Corporation
JSR Corporation ist ein japanisches Chemieunternehmen, das synthetische Kautschuke sowie Materialien für die Halbleiter- und Displayindustrie herstellt.
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