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WO2013131718
Art A1
12. September 2013
Anmelder: Soitec 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2013131718
- Aktenzeichen
- EP13705423
- Anmeldetag
- 11. Februar 2013
- Veröffentlichung
- 12. September 2013
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H03K19/177H01L25/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Soitec
- Land
- 🇫🇷 Frankreich
🇫🇷
Soitec
Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.
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