Power semiconductor device and method for manufacturing thereof

WO2013131821 Art A1 12. September 2013

Anmelder: ABB Technology AG 🇨🇭

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013131821
Aktenzeichen: EP13707166
Anmeldetag: 1. März 2013
Veröffentlichung: 12. September 2013
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/45H01L29/08H01L29/739H01L29/861H01L29/66

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: ABB Technology AG
Land: 🇨🇭 Schweiz

🇨🇭 ABB

Schweizerisch-schwedischer Technologiekonzern mit Sitz in Zürich. Fokussiert auf Elektrifizierung, Robotik, industrielle Automatisierung sowie Antriebstechnik für Industrie- und Energiekunden.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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