Method of testing a semiconductor on insulator structure and application of said test to the fabrication of such a structure

WO2013132301 Art A1 12. September 2013

Anmelder: Soitec 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013132301
Aktenzeichen: EP13716356
Anmeldetag: 18. Februar 2013
Veröffentlichung: 12. September 2013
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/66

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Soitec
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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