Chemical vapor deposited film formed by plasma chemical vapor deposition method

WO2013132889 Art A1 12. September 2013

Anmelder: Toray Engineering Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013132889
Aktenzeichen: EP13758104
Anmeldetag: 16. Januar 2013
Veröffentlichung: 12. September 2013
Rechtsraum: WO
IPC: C23C16/42B32B9/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Toray Engineering Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Toray Engineering

Toray Engineering ist eine japanische Tochtergesellschaft des Toray-Konzerns und stellt Fertigungsanlagen für Halbleiter- und Displayproduktion her. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiter- und elektrische Bauelemente sowie Verfahrens- und Trenntechnik, ergänzt um Elektronik. Anmeldungen reichen von 2000 bis 2025.

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Fachgebiete

Metallurgie & Oberflächentechnik Werkzeug-, Fertigungs- & Drucktechnik

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