Photoresist composition, method for forming resist pattern, polymer and compound
WO2013133230
Art A1
12. September 2013
Anmelder: JSR Corporation 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2013133230
- Aktenzeichen
- EP13758650
- Anmeldetag
- 4. März 2013
- Veröffentlichung
- 12. September 2013
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- G03F7/039C07C69/54C08F20/16C08F220/16
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- JSR Corporation
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
JSR Corporation
JSR Corporation ist ein japanisches Chemieunternehmen, das synthetische Kautschuke sowie Materialien für die Halbleiter- und Displayindustrie herstellt.
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