High -voltage field -effect transistor and method of making the same
WO2013135411
Art A1
19. September 2013
Anmelder: AMS AG 🇦🇹
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2013135411
- Aktenzeichen
- EP13701456
- Anmeldetag
- 25. Januar 2013
- Veröffentlichung
- 19. September 2013
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L29/78H01L29/08H01L29/06H01L21/336
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- AMS AG
- Land
- 🇦🇹 Österreich
🇩🇪
ams OSRAM
ams OSRAM International GmbH ist ein deutsch-österreichischer Hersteller von Sensoren und optoelektronischen Bauteilen, entstanden aus dem Zusammenschluss von ams und Osram.
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