Process for thinning the active silicon layer of a substrate of "silicon on insulator" (soi) type

WO2013136146 Art A1 19. September 2013

Anmelder: Soitec 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013136146
Aktenzeichen: EP13705562
Anmeldetag: 30. Januar 2013
Veröffentlichung: 19. September 2013
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/02H01L21/762

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Soitec
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

529 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von