Semiconductor device and method for manufacturing same
WO2013136896
Art A1
19. September 2013
Anmelder: Fuji Electric Co., Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2013136896
- Aktenzeichen
- EP13760393
- Anmeldetag
- 13. Februar 2013
- Veröffentlichung
- 19. September 2013
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L23/48H01L21/60H01L25/07H01L25/18H05K1/18
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Fuji Electric Co., Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Fuji Electric
Japanischer Elektrotechnikkonzern mit Sitz in Tokio, tätig in den Bereichen Leistungshalbleiter, Energieerzeugungsanlagen und industrielle Automatisierungstechnik.
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Vertreten von
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