Sputtering target, and high-resistance transparent film and method for production thereof

WO2013137020 Art A1 19. September 2013

Anmelder: Mitsubishi Materials Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013137020
Aktenzeichen: EP13761298
Anmeldetag: 1. März 2013
Veröffentlichung: 19. September 2013
Rechtsraum: WO
IPC: C23C14/34C04B35/453

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Mitsubishi Materials Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Mitsubishi Materials

Japanisches Unternehmen der Mitsubishi-Gruppe mit Sitz in Tokio, tätig in der Verarbeitung von Metallen und Werkstoffen, unter anderem Kupfer, Zement, Hartmetallwerkzeuge und elektronische Materialien.

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Fachgebiete

Anorganische Chemie & Werkstoffe Metallurgie & Oberflächentechnik

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