Photoresist composition, method for forming resist pattern, acid diffusion control agent and compound

WO2013137157 Art A1 19. September 2013

Anmelder: JSR Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013137157
Aktenzeichen: EP13760263
Anmeldetag: 8. März 2013
Veröffentlichung: 19. September 2013
Rechtsraum: WO
IPC: C07D211/46G03F7/004G03F7/039

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: JSR Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 JSR Corporation

JSR Corporation ist ein japanisches Chemieunternehmen, das synthetische Kautschuke sowie Materialien für die Halbleiter- und Displayindustrie herstellt.

1.781 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Optik & Fototechnik Organische Chemie

Vertreten von