Semiconductor device, and method for producing semiconductor device

WO2013137177 Art A1 19. September 2013

Anmelder: Rohm Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013137177
Aktenzeichen: EP13760434
Anmeldetag: 11. März 2013
Veröffentlichung: 19. September 2013
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/47H01L21/28H01L21/301H01L21/336H01L21/66H01L29/12H01L29/78H01L29/861H01L29/868H01L29/872

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Rohm Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Rohm

Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kyoto, spezialisiert auf integrierte Schaltkreise, diskrete Halbleiterbauelemente und Leistungshalbleiter (unter anderem Siliziumkarbid-Bauteile).

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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