Semiconductor multi-layer substrate, semiconductor element, and production method therefor
WO2013137476
Art A1
19. September 2013
Anmelder: Furukawa Electric Co., Ltd., Fuji Electric Co., Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2013137476
- Aktenzeichen
- EP13760708
- Anmeldetag
- 18. März 2013
- Veröffentlichung
- 19. September 2013
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/338H01L29/47H01L29/778H01L29/812H01L29/872
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Furukawa Electric Co., Ltd.
Fuji Electric Co., Ltd. - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Furukawa Electric
Furukawa Electric ist ein japanischer Hersteller von Glasfaserkabeln, elektronischen Bauteilen und Kupferprodukten für die Telekommunikations- und Automobilindustrie.
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🇯🇵
Fuji Electric
Japanischer Elektrotechnikkonzern mit Sitz in Tokio, tätig in den Bereichen Leistungshalbleiter, Energieerzeugungsanlagen und industrielle Automatisierungstechnik.
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Fachgebiete
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