Process and apparatus for measuring the crystal fraction of crystalline silicon casted mono wafers

WO2013138611 Art A1 19. September 2013

Anmelder: Applied Materials, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013138611
Aktenzeichen: EP13760271
Anmeldetag: 14. März 2013
Veröffentlichung: 19. September 2013
Rechtsraum: WO
IPC: G01N21/35H01L21/66

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Applied Materials, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Applied Materials

US-amerikanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien. Applied Materials entwickelt Fertigungsanlagen und Prozesstechnologien für die Halbleiter-, Display- und Solarindustrie, unter anderem für Beschichtung, Ätzen und Materialabscheidung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik

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