Cmos device and manufacturing method thereof

WO2013138952 Art A1 26. September 2013

Anmelder: Institute Of Microelectronics, Chinese Academy Of Sciences 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013138952
Aktenzeichen: EP12871734
Anmeldetag: 11. April 2012
Veröffentlichung: 26. September 2013
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/092H01L21/8228

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Institute Of Microelectronics, Chinese Academy Of Sciences
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences

Chinesisches Forschungsinstitut der Chinese Academy of Sciences mit Schwerpunkt auf Mikroelektronik und Halbleitertechnologie. Patente betreffen Chipdesign und Halbleiterfertigung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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