Charge pump circuit comprising multiple - gate transistors and method of operating the same

WO2013139976 Art A1 26. September 2013

Anmelder: Soitec 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013139976
Aktenzeichen: EP13711427
Anmeldetag: 22. März 2013
Veröffentlichung: 26. September 2013
Rechtsraum: WO
IPC: H02M3/07

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Soitec
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

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Fachgebiete

Elektrische Energietechnik

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