Semiconductor device and method for manufacturing same
WO2013140621
Art A1
26. September 2013
Anmelder: Renesas Electronics Corporation 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2013140621
- Aktenzeichen
- EP12872166
- Anmeldetag
- 23. März 2012
- Veröffentlichung
- 26. September 2013
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L29/739H01L21/336H01L29/78
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Renesas Electronics Corporation
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Renesas Electronics
Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Tokio, spezialisiert auf Mikrocontroller, analoge Bauelemente und Halbleiterlösungen unter anderem für die Automobil- und Industrieelektronik.
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