Self-supporting gallium nitride crystal substrate and method for manufacturing same

WO2013141099 Art A1 26. September 2013

Anmelder: Yamaguchi University 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013141099
Aktenzeichen: EP13764934
Anmeldetag: 13. März 2013
Veröffentlichung: 26. September 2013
Rechtsraum: WO
IPC: C30B29/38C23C16/01C23C16/34C30B25/18H01L21/205

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Yamaguchi University
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Yamaguchi University

Die Yamaguchi University ist eine japanische staatliche Universität. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Pharma und Medizintechnik, ergänzt um organische Chemie, Halbleiter- und Messtechnik sowie Verfahrenstechnik. Die Anmeldungen decken ein breites Spektrum von Geopolymer-Baustoffen bis zu Halbleitermaterialien wie Galliumoxid ab.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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