Photoresist composition, resist pattern forming method, and polymer
WO2013141265
Art A1
26. September 2013
Anmelder: JSR Corporation 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2013141265
- Aktenzeichen
- EP13763496
- Anmeldetag
- 19. März 2013
- Veröffentlichung
- 26. September 2013
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- G03F7/004C08F20/10C08F20/54G03F7/039H01L21/027
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- JSR Corporation
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
JSR Corporation
JSR Corporation ist ein japanisches Chemieunternehmen, das synthetische Kautschuke sowie Materialien für die Halbleiter- und Displayindustrie herstellt.
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