Method for separating epitaxial layers and growth substrates, and semiconductor device using same

WO2013141561 Art A1 26. September 2013

Anmelder: Seoul Viosys Co., Ltd. 🇰🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013141561
Aktenzeichen: EP13764198
Anmeldetag: 19. März 2013
Veröffentlichung: 26. September 2013
Rechtsraum: WO
IPC: H01L33/22H01L33/12

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Seoul Viosys Co., Ltd.
Land: 🇰🇷 Südkorea

🇰🇷 Seoul Viosys Co., Ltd.

Seoul Viosys ist ein südkoreanischer Hersteller von LED-Chips und optoelektronischen Bauteilen, eine Tochtergesellschaft von Seoul Semiconductor, dessen Patente LED-Technologie betreffen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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