Direct growth of diamond in backside vias for gan hemt devices

WO2013142156 Art A1 26. September 2013

Anmelder: Northrop Grumman Systems Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013142156
Aktenzeichen: EP13712449
Anmeldetag: 12. März 2013
Veröffentlichung: 26. September 2013
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/778H01L23/367H01L23/373H01L29/20

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Northrop Grumman Systems Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Northrop Grumman

US-amerikanischer Rüstungs- und Luftfahrtkonzern mit Sitz in Virginia, tätig in den Bereichen Verteidigungselektronik, Flugzeugbau, Raumfahrt und Cybersicherheit.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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