Methods and apparatus for selectively modifying rf current paths in a plasma processing system

WO2013142174 Art A1 26. September 2013

Anmelder: LAM Research Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013142174
Aktenzeichen: EP13763738
Anmeldetag: 13. März 2013
Veröffentlichung: 26. September 2013
Rechtsraum: WO
IPC: H05H1/46

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: LAM Research Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Lam Research

US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.

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Fachgebiete

Elektronik & Schaltungstechnik

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