Sige heterojunction bipolar transistor with improved breakdown voltage-cutoff frequency product

WO2013142860 Art A1 26. September 2013

Anmelder: Texas Instruments Incorporated 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013142860
Aktenzeichen: EP13763702
Anmeldetag: 25. März 2013
Veröffentlichung: 26. September 2013
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/737

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Texas Instruments Incorporated
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Texas Instruments

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Dallas (Texas). Entwickelt und fertigt analoge und eingebettete Halbleiterprodukte, Prozessoren sowie Schaltkreise für Industrie, Automobil- und Konsumelektronik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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