Sintered silicon nitride substrate and process for producing same

WO2013146789 Art A1 3. Oktober 2013

Anmelder: Hitachi Metals, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013146789
Aktenzeichen: EP13768241
Anmeldetag: 26. März 2013
Veröffentlichung: 3. Oktober 2013
Rechtsraum: WO
IPC: C04B35/584C04B35/64H01L23/15H05K3/46

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Hitachi Metals, Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Proterial

Japanisches Unternehmen (frühere Firmierung Hitachi Metals), das Spezialstähle, Magnetwerkstoffe und Metallkomponenten für Industrie und Automobilbau herstellt.

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Fachgebiete

Anorganische Chemie & Werkstoffe Elektronik & Schaltungstechnik Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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