Trap mechanism, exhaust system, and film formation device

WO2013146982 Art A1 3. Oktober 2013

Anmelder: Tokyo Electron Limited 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013146982
Aktenzeichen: EP13769425
Anmeldetag: 28. März 2013
Veröffentlichung: 3. Oktober 2013
Rechtsraum: WO
IPC: C23C16/44B01D8/00H01L21/205

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Tokyo Electron Limited
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Tokyo Electron

Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.

2.414 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik Verfahrens- & Trenntechnik

Vertreten von