Method for producing nitride single crystal

WO2013147097 Art A1 3. Oktober 2013

Anmelder: Mitsubishi Chemical Corporation, Tohoku University, The Japan Steel Works, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013147097
Aktenzeichen: EP13769666
Anmeldetag: 28. März 2013
Veröffentlichung: 3. Oktober 2013
Rechtsraum: WO
IPC: C30B29/38C30B7/10

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Mitsubishi Chemical Corporation
Tohoku University
The Japan Steel Works, Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Mitsubishi Chemical

Japanisches Chemieunternehmen mit Sitz in Tokio, Teil der Mitsubishi-Chemical-Gruppe. Das Unternehmen entwickelt Grund- und Spezialchemikalien, Kunststoffe, Materialien für Elektronik und Energiespeicher sowie Pharma- und Life-Science-Produkte.

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🇯🇵 Tohoku University

Staatliche Universität in Sendai, Japan, mit Forschungsschwerpunkten unter anderem in Materialwissenschaften und Werkstofftechnik.

837 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von