Iii-nitride high electron mobility transistor structures and methods for fabrication of same

WO2013147710 Art A1 3. Oktober 2013

Anmelder: Agency for Science, Technology and Research 🇸🇬

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013147710
Aktenzeichen: EP13767816
Anmeldetag: 28. März 2013
Veröffentlichung: 3. Oktober 2013
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/778

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Agency for Science, Technology and Research
Land: 🇸🇬 Singapur

🇸🇬 Agency for Science, Technology and Research

Staatliche Forschungsorganisation Singapurs (bekannt als A*STAR), zuständig für angewandte Forschung in Biomedizin, Physik und Ingenieurwissenschaften. Fördert Technologietransfer zwischen Wissenschaft und Industrie.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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