Three-dimensional photoresists via functionalization of polymer thin films fabricated by icvd

WO2013148126 Art A1 3. Oktober 2013

Anmelder: Massachusetts Institute of Technology 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013148126
Aktenzeichen: EP13767848
Anmeldetag: 11. März 2013
Veröffentlichung: 3. Oktober 2013
Rechtsraum: WO
IPC: C23C16/48

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Massachusetts Institute of Technology
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Massachusetts Institute of Technology

US-amerikanische Universität mit Sitz in Cambridge, Massachusetts, eine der weltweit führenden Forschungseinrichtungen. Aktiv in nahezu allen technischen und naturwissenschaftlichen Feldern, darunter Informatik, Ingenieurwesen, Materialwissenschaften und Biotechnologie.

5.635 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von