Method and apparatus for generating a high current negative hydrogen ion beam

WO2013148286 Art A1 3. Oktober 2013

Anmelder: Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013148286
Aktenzeichen: EP13712469
Anmeldetag: 14. März 2013
Veröffentlichung: 3. Oktober 2013
Rechtsraum: WO
IPC: H01J37/08H01J27/02H01J37/302

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc.

Varian Semiconductor Equipment Associates war ein US-amerikanischer Hersteller von Halbleiteranlagen, seit 2011 Teil von Applied Materials. Die Patente betreffen Ionenimplantation und Halbleiterfertigung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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