Methods and apparatuses for effectively reducing gas residence time in a plasma processing chamber

WO2013148529 Art A1 3. Oktober 2013

Anmelder: LAM Research Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013148529
Aktenzeichen: EP13768108
Anmeldetag: 22. März 2013
Veröffentlichung: 3. Oktober 2013
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/3065

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: LAM Research Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Lam Research

US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.

2.725 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von