Sic bipolar junction transistor with reduced carrier lifetime in collector and a defect termination layer

WO2013149661 Art A1 10. Oktober 2013

Anmelder: Fairchild Semiconductor Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013149661
Aktenzeichen: EP12714294
Anmeldetag: 4. April 2012
Veröffentlichung: 10. Oktober 2013
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/08H01L29/36H01L29/732H01L29/16H01L29/66H01L29/32H01L29/04H01L29/10

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Fairchild Semiconductor Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Fairchild Semiconductor

Fairchild Semiconductor war ein US-amerikanischer Halbleiterhersteller, der 2016 von ON Semiconductor übernommen wurde. Das Patentportfolio konzentriert sich fast vollständig auf Halbleiter- und Schaltungstechnik sowie Leistungselektronik. Die Anmeldungen stammen aus den Jahren 2000 bis 2017.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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