Vorrichtung zum Abscheiden einer Schicht auf einer Halbleiterscheibe mittels Gasphasenabscheidung
WO2013149849
Art A1
10. Oktober 2013
Anmelder: Siltronic AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2013149849
- Aktenzeichen
- EP13711884
- Anmeldetag
- 22. März 2013
- Veröffentlichung
- 10. Oktober 2013
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- C23C16/46
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Siltronic AG
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Siltronic
Deutscher Halbleiterzulieferer mit Sitz in München. Siltronic stellt hochreine Siliziumwafer für die Chip- und Elektronikindustrie her.
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