Sputtering target, sputtering target manufacturing method, barium titanate thin film manufacturing method, and thin film capacitor manufacturing method

WO2013150831 Art A1 10. Oktober 2013

Anmelder: Sony Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013150831
Aktenzeichen: EP13772096
Anmeldetag: 25. Februar 2013
Veröffentlichung: 10. Oktober 2013
Rechtsraum: WO
IPC: C23C14/34H01G4/12H01G4/33H01L21/822H01L27/04

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Sony Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sony Group

Japanischer Technologie- und Unterhaltungskonzern mit Sitz in Tokio. Sony entwickelt Unterhaltungselektronik, Bildsensoren, Spielesysteme sowie Musik- und Filmangebote.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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