Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

WO2013150889 Art A1 10. Oktober 2013

Anmelder: Fuji Electric Co., Ltd., National Institute Of Advanced Industrial Science 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013150889
Aktenzeichen: EP13772949
Anmeldetag: 18. März 2013
Veröffentlichung: 10. Oktober 2013
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/28H01L21/285H01L21/336H01L29/12H01L29/78

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Fuji Electric Co., Ltd.
National Institute Of Advanced Industrial Science
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Fuji Electric

Japanischer Elektrotechnikkonzern mit Sitz in Tokio, tätig in den Bereichen Leistungshalbleiter, Energieerzeugungsanlagen und industrielle Automatisierungstechnik.

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🇯🇵 National Institute of Advanced Industrial Science and Technology

Staatliches japanisches Forschungsinstitut (AIST), das breit angelegte angewandte Forschung in Bereichen wie Materialwissenschaft, Energie, Elektronik und Biotechnologie betreibt.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von