Semiconductor device manufacturing method and substrate treatment system

WO2013150920 Art A1 10. Oktober 2013

Anmelder: Tokyo Electron Limited 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013150920
Aktenzeichen: EP13772000
Anmeldetag: 26. März 2013
Veröffentlichung: 10. Oktober 2013
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/336C23C16/40C23C16/56H01L21/283H01L21/31H01L21/316H01L21/318H01L29/423H01L29/49H01L29/78

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Tokyo Electron Limited
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Tokyo Electron

Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von