Negative electrode for power storage device, method for forming the same, and power storage device

WO2013151110 Art A1 10. Oktober 2013

Anmelder: Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013151110
Aktenzeichen: EP13772248
Anmeldetag: 28. März 2013
Veröffentlichung: 10. Oktober 2013
Rechtsraum: WO
IPC: H01M4/587H01G11/22H01M4/133H01M4/1393H01M4/36

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Semiconductor Energy Laboratory

Japanisches Forschungsunternehmen mit Sitz in Atsugi. Semiconductor Energy Laboratory (SEL) forscht an Halbleitertechnologien, Flüssigkristall- und OLED-Displays sowie Dünnschichttransistoren.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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